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TriQuint推出四款新放大器采用创新封装来简化组装万芳

发布时间:2020-02-14 10:56:50 阅读: 来源:中开泵厂家

TriQuint推出四款新放大器,采用创新封装来简化组装

TriQuint半导体公司推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。 其中每款新放大器的封装都更方便进行组装,包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括:TGA2502-GSG(3.6W [CW],13-16 GHz,适用于VSAT系统);TGA2575-TS(3W [CW],32-38 GHz,适用于通信系统);TGA2704-SM(7W [CW],9-11 GHz,适用于微波无线电)以及TGA2710-SM(7W [CW],9.5-12 GHz,亦适用于微波无线电)。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab产品系列的最新成员,它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。 通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。 这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验,来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格: 新封装砷化镓pHEMT解决方案

TGA2502-GSG13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:2.8W;20dB大信号增益;25dB小信号增益;效率为25%;在1.3A为7V;14引线法兰贴装封装。TGA2575-TS32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:3W;19dB小信号增益;功率附加效率为22%;在2.1A为6V。TGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。TGA2704-SM9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;22dB 小信号增益;功率附加效率为40%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。TGA2710-SM9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;20dB小信号增益;功率附加效率为36%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

联系产品营销获取样片和评估板,或访问TriQuint的销售页面获取本地支持。

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